Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA
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ZXTDC3M832TA
671-ZXTDC3M832TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
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大陆
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Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8-Pin MLP T/R
--最小包装量--
ZXTDC3M832TA详情
Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
832
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1W
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
165MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PQFP-F10
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
3W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
190MHz
集电极发射器电压(VCEO)
320mV
最大集电极电流
3A
转换频率
190MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
7.5V
最小直流增益(hFE)
100
高度
1mm
长度
3mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTDC3M832TA拓展信息
Diodes Incorporated
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