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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ZXTDC3M832TA
ZXTDC3M832TA
ZXTDC3M832TA

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA

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型号

ZXTDC3M832TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZXTDC3M832TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8-Pin MLP T/R

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ZXTDC3M832TA
ZXTDC3M832TA Diodes Incorporated Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8-Pin MLP T/R

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ZXTDC3M832TA详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    832

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    40V

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    10

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1W

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    165MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-PQFP-F10

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    3W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    190MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    320mV

  • 最大集电极电流

    3A

  • 转换频率

    190MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    7.5V

  • 最小直流增益（hFE）

    100

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    2mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & ZXTDC3M832TA相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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