GOFORD G02P06

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A

厂商

Goford Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.5W

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

573 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.3 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V