GOFORD G12P03D3

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

8-DFN (3.15x3.05)

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

3W (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1253 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-