GOFORD G2012

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-DFN (2x2)

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Goford Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.5W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12mOhm @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1255 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±10V

场效应管特性

-