G2K2P10S2E
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GOFORD G2K2P10S2E

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型号

G2K2P10S2E

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G2K2P10S2E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

0603 (1608 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1

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G2K2P10S2E GOFORD P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1

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G2K2P10S2E详情

GOFORD G2K2P10S2E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0603 (1608 Metric)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    0603

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RN731J

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    Obsolete

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73

  • 尺寸/尺寸

    0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    205 kOhms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.063W, 1/16W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 配置

    2 P-Channel (Dual)

  • 功率 - 最大

    3.1W (Tc)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    200mOhm @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1623pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Moisture Resistant

  • 座位高度(最大)

    0.022 (0.55mm)

0个相似型号

G2K2P10S2E拓展信息

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