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技术文档
型号
G2K2P10S2E
品牌
GOFORD
utmel 编号
983-G2K2P10S2E
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
0603 (1608 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1
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G2K2P10S2E详情
技术参数
GOFORD G2K2P10S2E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
0603
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
RN731J
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A (Tc)
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
205 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.063W, 1/16W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大
3.1W (Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs
200mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1623pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
场效应管特性
-
特征
Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
G2K2P10S2E拓展信息
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公司资质
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型号:G2K3N10L6
封装:SOT-23-6
品牌:GOFORD
库存:0
型号:G4953S
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
型号:G05NP10S
型号:G200P04S2
型号:G1K2C10S2
型号:G3404B
封装:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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