GOFORD G2K3N10L6

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

供应商器件包装

SOT-23-6L

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

G2K3N

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

G

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大

1.67W (Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs

220mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

536pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

100V

场效应管特性

-