GOFORD G69F

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-DFN (2x2)

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Goford Semiconductor

Power Dissipation (Max)

18W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-