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SVF2N70MJ

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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N70MJ

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对比

型号

SVF2N70MJ

品牌

Hangzhou Silan Microelectronics

utmel 编号

1604-SVF2N70MJ

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

700V 2A 5Ω@10V,1A 40W 4V@250uA 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS

起订量

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SVF2N70MJ

SVF2N70MJ Hangzhou Silan Microelectronics 700V 2A 5Ω@10V,1A 40W 4V@250uA 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS

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SVF2N70MJ详情

技术参数

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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N70MJ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

700V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

5Ω@10V,1A
Power Dissipation (Pd)

40W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

4V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

1.3pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

260.1pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

5.96nC@10V
Package

Tube-packed
操作温度

-55℃~+150℃@(Tj)
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

2A

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