Harris Semiconductor IRF9540
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IRF9540
1050-IRF9540
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
1最小包装量--
IRF9540详情
Harris Semiconductor IRF9540重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Drain Current-Max (ID)
19 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
140 ns
Turn-on Time-Max (ton)
120 ns
Chip
TP 4056
Description
Li-ion Battery Charger for 18650 with USB Type C protection
Protection
from overcharge 4.2…4.28 V; overdischarge 3.0…3.2 V; by current - 3 A
Gross weight
1.97
Transport packaging size/quantity
42*28*23.5/2000
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
USB C型
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
深度
25 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
输出电流
(maximum charge current) 1 A
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
960 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
环境耗散-最大值
125 W
电池类型
18650
输入电压
4.35…6 V
模块类型
Li-ion Battery Charger with Protection
宽度
16.5 mm
IRF9540拓展信息
Harris Semiconductor
Harris Semiconductor
Harris Semiconductor
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