RLP1N08LE
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Harris Semiconductor RLP1N08LE

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型号

RLP1N08LE

utmel 编号

1050-RLP1N08LE

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 80V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RLP1N08LE Harris Semiconductor Description: Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 80V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RLP1N08LE详情

Harris Semiconductor RLP1N08LE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    HARRIS SEMICONDUCTOR

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    1.5 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Max (toff)

    12500 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    6500 ns

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    CURRENT LIMITING, ESD PROTECTED

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR, DIODE AND RESISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.75 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    80 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

  • 环境耗散-最大值

    30 W

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技术文档: Harris Semiconductor RLP1N08LE.

RLP1N08LE拓展信息

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