BC817K-25WH6433详情
Infineon BC817K-25WH6433重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
PG-SOT323-3-1
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
250 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
160 at 100mA, 1 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Unit Weight
0.000176 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
170 MHz
Part # Aliases
SP000786166 BC817K25WH6433XT BC817K25WH6433XTMA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Maximum DC Collector Current
1 A
DC Current Gain hFE Max
400 at 100 mA, 1 V
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
子类别
Transistors
技术
Si
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
114.215 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
配置
Single
扩频带宽
-
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
170MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
绝对牵引范围 (APR)
-
连续集电极电流
500
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
-
BC817K-25WH6433拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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