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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.88267
10
¥0.832708
100
¥0.785573
500
¥0.741107
1000
¥0.699158
Infineon Technologies BCX41E6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BCX41E6327HTSA1
1211-BCX41E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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Trans GP BJT NPN 125V 0.8A T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCX41E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BCX41E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
125V
Collector-Emitter Saturation Voltage
900mV
Number of Elements
1
hFEMin
63
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
125V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
800mA
频率
100MHz
基本部件号
BCX41
电压
125V
元素配置
Single
电流
8A
功率耗散
330mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
1V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 200mA 1V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 30mA, 300mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
125V
集电极基极电压(VCBO)
125V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCX41E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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