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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.46025
10
¥0.434198
100
¥0.409621
500
¥0.386434
1000
¥0.364561
Infineon Technologies BC847BWH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BC847BWH6327XTSA1
1211-BC847BWH6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847BWH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BC847BWH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
250MHz
基本部件号
BC847
元素配置
Single
功率耗散
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC847BWH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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