Infineon Technologies BCW68HE6327HTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1996

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-800mA

频率

200MHz

基本部件号

BCW68

配置

SINGLE

功率耗散

330mW

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

700mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅