Infineon BCR 10PN H6730

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial - 3 Leads

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT363-6-1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rated

20V

Lifetime @ Temp.

1000 Hrs @ 85°C

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

130 MHz

Manufacturer Part Number

BCR10PNH6730

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.62

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

TANTALEX®, 299D

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.360 L x 0.360 W (9.14mm x 9.14mm)

容差

±20%

零件状态

活跃

类型

共形涂层

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电容量

68µF

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

ESR（等效串联电阻）

--

失败率

--

引线间距

--

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

制造商的尺寸代码

F

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

130MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

30

电阻基(R1)

10kOhms

连续集电极电流

100

电阻-发射极基极(R2)

10kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

特征

通用型

座位高度(最大)

0.620 (15.74mm)

评级结果

--