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1000

￥0.395544

Infineon Technologies BCR185SH6327XTSA1

Name: BCR185SH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BCR185SH6327XTSA1
Price: 0.5 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BCR185SH6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BCR185SH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR185SH6327XTSA1 Infineon Technologies Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR185SH6327XTSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies BCR185SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

26 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV
hFEMin

70
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2007
JESD-609代码

e3
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
最大功率耗散

250mW
极性

PNP
元素配置

Dual
功率耗散

250mW
无卤素

无卤素
晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
发射极基极电压 (VEBO)

50V
电阻基(R1)

10k Ω
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
高度

800μm
长度

2mm
宽度

1.25mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BCR185SH6327XTSA1拓展信息

热销零件