注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.1853
10
¥1.118207
100
¥1.054913
500
¥0.995201
1000
¥0.938868
Infineon Technologies BCR135SH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BCR135SH6327XTSA1
1211-BCR135SH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR135SH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BCR135SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
PG-SOT363-6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
hFEMin
70
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
250mW
基本部件号
BCR135S
极性
NPN
元素配置
Dual
功率 - 最大
250mW
无卤素
无卤素
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
最大击穿电压
50V
频率转换
150MHz
电阻基(R1)
10kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR135SH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。