Infineon Technologies BCR523UE6327HTSA1
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BCR523UE6327HTSA1
1211-BCR523UE6327HTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
1最小包装量--
BCR523UE6327HTSA1详情
Infineon Technologies BCR523UE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
70
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
330mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
不含卤素
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 50mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
电阻基(R1)
1k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR523UE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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