Infineon BCW61AE6327T

Name: BCW61AE6327T
Brand: Infineon
SKU: 1211-BCW61AE6327T
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

BCW61AE6327T

品牌

utmel 编号

1211-BCW61AE6327T

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BCW61AE6327T datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

BCW61AE6327T Infineon

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

BCW61AE6327T详情

技术参数

Infineon BCW61AE6327T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
材料

Si
EU RoHS

Compliant
ECCN (US)

EAR99
HTS

8541.21.00.75
Category

双极小信号
Number of Elements per Chip

1
Maximum Collector Base Voltage (V)

32
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

32
Maximum Emitter Base Voltage (V)

5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

[email protected]@10mA|[email protected]@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

[email protected]@10mA|[email protected]@50mA
Maximum DC Collector Current (A)

0.1
Minimum DC Current Gain

20@10uA@5V|120@2mA@5V|60@50mA@1V
Maximum Power Dissipation (mW)

330
Maximum Transition Frequency (MHz)

250(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)

-65
Maximum Operating Temperature (°C)

150
包装

卷带
零件状态

LTB
类型

PNP
配置

Single