BSL308C L6327
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Infineon BSL308C L6327

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型号

BSL308C L6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSL308C L6327

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet N/p-ch 30V 2.3A/2A 6TSOP

起订量

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BSL308C L6327
BSL308C L6327 Infineon Mosfet N/p-ch 30V 2.3A/2A 6TSOP

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BSL308C L6327详情

Infineon BSL308C L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Package

    Bulk

  • RoHS

    Compliant

  • 系列

    SXT224

  • 操作温度

    -20°C ~ 70°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

  • 类型

    兆赫晶体

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    500 mW

  • 频率

    22.1184 MHz

  • 频率稳定性

    ±25ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    80 Ohms

  • 负载电容

    18pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 频率容差

    ±15ppm

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 连续放电电流(ID)

    2.3 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    275 pF

  • 最大rds

    80 mΩ

  • 座位高度(最大)

    0.026 (0.65mm)

  • 辐射硬化

  • 评级结果

    -

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技术文档: Infineon BSL308C L6327.

BSL308C L6327拓展信息

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