BSS306NH6327XT详情
Infineon BSS306NH6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
供应商器件包装
5630
封装的热阻
33°C/W
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
OSRAM Opto (ams OSRAM)
Product Status
Obsolete
CCT(K)
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Typical Turn-On Delay Time
4.4 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.6 V
Qualification
AEC-Q101
Pd - Power Dissipation
500 mW
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
9000
Mounting Styles
SMD/SMT
Forward Transconductance - Min
5 S
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
SP000928940 BSS306NH6327XTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Qg - Gate Charge
1.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
57 mOhms
RoHS
Details
Typical Turn-Off Delay Time
8.3 ns
Id - Continuous Drain Current
2.3 A
系列
DURIS® E 5
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.209 L x 0.118 W (5.30mm x 3.00mm)
颜色
White
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
电压 - 正向 (Vf) (类型)
3.15V
视角
120°
测试电流
120mA
流明/瓦特@电流 - 测试
135 lm/W
显色指数
80
上升时间
2.3 ns
最大电流
180mA
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
通量@25°C,电流测试
51lm (44lm ~ 57lm)
通量@85°C,电流测试
-
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.034 (0.87mm)
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
BSS306NH6327XT拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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