Infineon IGP30N60T

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

600

Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.5

Maximum Continuous Collector Current (A)

60

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.1

Maximum Power Dissipation (mW)

187000

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Mounting

通孔

Package Height

9.25

Package Width

4.4

Package Length

10

PCB changed

3

Tab

Tab

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Lead Shape

通孔

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

50 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

382 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IGP30N60T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.65

Part Package Code

TO-220AB

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

快速切换

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

60 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

信道型

N

最大耗散功率(Abs)

187 W

集电极电流-最大值(IC)

60 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7 V