Infineon IPP100N04S3-03

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Typical Turn-On Delay Time

30 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

214 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000261227 IPP1N4S33XK IPP100N04S303AKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

110 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

3.3 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

46 ns

Id - Continuous Drain Current

100 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP100N04S3-03

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.45

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

100 A

系列

OptiMOS-T

包装

Tube

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

上升时间

16 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0028 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

898 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

214 W

产品类别

MOSFET

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

长度

10 mm