Infineon IRG4PC30W

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Voltage Rating (DC)

600 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

41 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

300 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRG4PC30W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5

Part Package Code

TO-247AC

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

终端

通孔

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低导通损耗

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

100 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

额定电流

23 A

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Dual

功率耗散

100 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

上升时间

16 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.7 V

最大集电极电流

23 A

JEDEC-95代码

TO-247AC

最大耗散功率(Abs)

100 W

集电极电流-最大值(IC)

23 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

最大下降时间 (tf)

100 ns

宽度

5.3 mm

高度

20.2946 mm

长度

15.875 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅