Infineon SIGC10T65EX1SA1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装数量

1

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

650

Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.45

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.15

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Package Height

0.07

Package Width

3.19

Package Length

3.21

PCB changed

3

Supplier Package

Die

RoHS

Non-Compliant

包装

Wafer

零件状态

活跃

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

引脚数量

3

配置

Single

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

650 V

集电极发射器电压(VCEO)

650 V

最大双电源电压

650 V

信道型

N

无铅

无铅