Infineon SIGC28T65EX1SA1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

包装数量

1

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

650

Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.45

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.15

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Package Height

0.07

Package Width

4.2

Package Length

6.57

PCB changed

3

Supplier Package

Die

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

SIGC28

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Test Conditions

-

包装

Wafer

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchStop™

零件状态

活跃

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

引脚数量

3

配置

Single

输入类型

Standard

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

650 V

集电极发射器电压(VCEO)

650 V

最大双电源电压

650 V

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.77V @ 15V, 50A

连续集电极电流

50

IGBT类型

沟渠现场停车

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

-

开关能量

-

无铅

无铅