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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.743965
10
¥0.701854
100
¥0.662127
500
¥0.624648
1000
¥0.589289
ON Semiconductor NVJD5121NT1G
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- 对比
NVJD5121NT1G
1807-NVJD5121NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
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¥
总价: ¥
NVJD5121NT1G详情
ON Semiconductor NVJD5121NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
通道数量
2
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
26pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.9nC @ 4.5V
上升时间
34ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
32 ns
连续放电电流(ID)
295mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVJD5121NT1G拓展信息








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