AIGW50N65H5
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Infineon Technologies AIGW50N65H5

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型号

AIGW50N65H5

utmel 编号

1211-AIGW50N65H5

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

270W 83A 650V TO-247-3-41 IGBT Transistors / Modules ROHS

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AIGW50N65H5 Infineon Technologies 270W 83A 650V TO-247-3-41 IGBT Transistors / Modules ROHS

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AIGW50N65H5详情

Infineon Technologies AIGW50N65H5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • RoHS

    true

  • Power Dissipation (Pd)

    270W

  • Turn?off Delay Time (Td(off))

    173ns

  • Turn?on Delay Time (Td(on))

    21ns

  • Collector Current (Ic)

    83A

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)

    650V

  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)

    4V@500uA

  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)

    116nC@50A,15V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge)

    1.66V@50A,15V

  • Turn?off Switching Loss (Eoff)

    0.16mJ

  • Turn?on Switching Loss (Eon)

    0.45mJ

  • Input Capacitance (Cies@Vce)

    2.8nF@25V

  • Package

    Tube-packed

  • 操作温度

    -40℃~+175℃@(Tj)

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AIGW50N65H5.

AIGW50N65H5拓展信息

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