Infineon Technologies AUIRF7103QTR

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2.4W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

1.7ns

漏源电压 (Vdss)

50V

下降时间（典型值）

2.3 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

漏源击穿电压

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅