Infineon Technologies AUIRF7313QTR

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.4W

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

接通延迟时间

3.7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 6.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

755pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

7.3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

6.9A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant