ON Semiconductor FDS6982S
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FDS6982S
1807-FDS6982S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
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FDS6982S详情
ON Semiconductor FDS6982S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A 8.6A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
900mW
功率耗散
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2040pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 5V
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
8.6A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS6982S拓展信息









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