Infineon Technologies AUIRGP50B60PD1E

工厂交货时间

25 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

75A

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 33A, 3.3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

上升时间-最大值

15ns

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

390W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

42ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

最大耗散功率(Abs)

390W

接通时间

39 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.85V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

161 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

205nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

30ns/130ns

开关能量

255μJ (on), 375μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

15ns

RoHS状态

符合RoHS标准