Infineon Technologies AUIRGU4045D
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AUIRGU4045D
1211-AUIRGU4045D
晶体管 - IGBT - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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DIODE 600V IGBT
1最小包装量--
AUIRGU4045D详情
Infineon Technologies AUIRGU4045D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
12A
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 6A, 47 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
上升时间-最大值
15ns
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
输入类型
Standard
功率 - 最大
77W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
反向恢复时间
74ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
最大耗散功率(Abs)
77W
接通时间
38 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 6A
关断时间-标准值(toff)
127 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
19.5nC
集极脉冲电流(Icm)
18A
Td(开/关)@25°C
27ns/75ns
开关能量
56μJ (on), 122μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
最大下降时间 (tf)
22ns
RoHS状态
符合RoHS标准
AUIRGU4045D拓展信息
Infineon Technologies
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