注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.031924
500
¥0.758771
1000
¥0.632307
2000
¥0.580098
5000
¥0.542149
10000
¥0.504326
15000
¥0.48774
50000
¥0.479585
Infineon Technologies BC80725E6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BC80725E6327HTSA1
1211-BC80725E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC80725E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BC80725E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
PG-SOT23
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Manufacturer Part Number
BC80725E6327HTSA1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.54
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
330 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
200MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
160
集电极-发射器电压-最大值
45 V
BC80725E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies






哦! 它是空的。