Infineon Technologies BC817K40WE6327HTSA1

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

250mW

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BC817

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

转换频率

170MHz

频率转换

170MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

RoHS状态

符合RoHS标准