Infineon Technologies BC818K16WH6327XTSA1
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BC818K16WH6327XTSA1
1211-BC818K16WH6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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TRANS NPN 25V 0.5A SOT323
1最小包装量--
BC818K16WH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BC818K16WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
170MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC818
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
700mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
170MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC818K16WH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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