Infineon Technologies BC 856BW H6433
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BC 856BW H6433
1211-BC 856BW H6433
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
1最小包装量--
BC 856BW H6433详情
Infineon Technologies BC 856BW H6433重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC856
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
65V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
BC 856BW H6433拓展信息
Infineon Technologies
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