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1000

￥0.499398

Infineon Technologies BC857SH6327XTSA1

Name: BC857SH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BC857SH6327XTSA1
Price: 0.63 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BC857SH6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BC857SH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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Infineon Technologies BC857SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

650mV
Number of Elements

2
hFEMin

200
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

250mW
终端形式

鸥翼
频率

250MHz
基本部件号

BC857
引脚数量

6
参考标准

AEC-Q101
极性

PNP
电压

65V
电流

1A
功率耗散

250mW
晶体管应用

AMPLIFIER
无卤素

无卤素
晶体管类型

2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

650mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

250MHz
最大击穿电压

45V
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

800μm
长度

2mm
宽度

1.25mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BC857SH6327XTSA1拓展信息

热销零件