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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.782202
10
¥2.62472
100
¥2.476153
500
¥2.335994
1000
¥2.203763
Infineon Technologies BC847PNH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BC847PNH6327XTSA1
1211-BC847PNH6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847PNH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BC847PNH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
650mV
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC847PN
参考标准
AEC-Q101
极性
NPN, PNP
功率耗散
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
650mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC847PNH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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