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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.134862
10
¥1.070624
100
¥1.010024
500
¥0.952852
1000
¥0.898917
Infineon Technologies SMBTA06UPNE6327HTSA1
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- 对比
SMBTA06UPNE6327HTSA1
1211-SMBTA06UPNE6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
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Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A Automotive 6-Pin SC-74 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMBTA06UPNE6327HTSA1详情
Infineon Technologies SMBTA06UPNE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
500mA
频率
100MHz
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
功率耗散
330mW
无卤素
不含卤素
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMBTA06UPNE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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