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1

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10

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500

￥4.100644
1000

￥3.868536

Infineon Technologies BCV62CE6327HTSA1

Name: BCV62CE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BCV62CE6327HTSA1
Price: 4.88 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BCV62CE6327HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BCV62CE6327HTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

TO-253-4, TO-253AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

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BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

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BCV62CE6327HTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BCV62CE6327HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-253-4, TO-253AA
引脚数

4
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
Collector-Emitter Saturation Voltage

650mV
Number of Elements

2
hFEMin

125
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2001
JESD-609代码

e3
零件状态

最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
电压 - 额定直流

-30V
最大功率耗散

300mW
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
额定电流

-100mA
频率

250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

BCV62
参考标准

AEC-Q101
极性

PNP
元素配置

Dual
功率耗散

300mW
无卤素

不含卤素
晶体管类型

2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

650mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

250MHz
最大击穿电压

30V
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
高度

1mm
长度

2.9mm
宽度

2.9mm
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BCV62CE6327HTSA1拓展信息

热销零件