注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.55224
10
¥2.407775
100
¥2.271482
500
¥2.142911
1000
¥2.021609
Infineon Technologies BC859CE6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BC859CE6327HTSA1
1211-BC859CE6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC859CE6327HTSA1详情
Infineon Technologies BC859CE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC859
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC859CE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。