Infineon Technologies BCM846SE6327HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

RoHS状态

符合RoHS标准