Infineon Technologies BCP49H6419XTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

最大功率耗散

1.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BCP49

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Dual

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

RoHS状态

ROHS3 Compliant