BCR08PNB6327XT
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Infineon Technologies BCR08PNB6327XT

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型号

BCR08PNB6327XT

utmel 编号

1211-BCR08PNB6327XT

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR08PNB6327XT
BCR08PNB6327XT Infineon Technologies Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR08PNB6327XT详情

Infineon Technologies BCR08PNB6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    PG-SOT363-6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 基本部件号

    BCR08PN

  • 极性

    NPN, PNP

  • 功率 - 最大

    250mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    70 @ 5mA 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    170MHz

  • 电阻基(R1)

    2.2kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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