Infineon Technologies BCR119SE6433HTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BCR119S

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 5mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

150MHz

频率转换

150MHz

电阻基(R1)

4.7k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准