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价格梯度

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1

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500

￥1.004126
1000

￥0.836774
2000

￥0.767681
5000

￥0.717459
10000

￥0.667403
15000

￥0.645459
50000

￥0.634671

Infineon Technologies BCR185SB6327XT

Name: BCR185SB6327XT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BCR185SB6327XT
Price: 1.37 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BCR185SB6327XT

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BCR185SB6327XT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

起订量

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BCR185SB6327XT Infineon Technologies Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR185SB6327XT详情

技术参数

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Infineon Technologies BCR185SB6327XT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
供应商器件包装

PG-SOT363-6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

250mW
功率 - 最大

250mW
晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
频率转换

200MHz
电阻基(R1)

10kOhms
电阻-发射极基极(R2)

47kOhms
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

BCR185SB6327XT拓展信息

热销零件