Infineon Technologies BCR185SH6327TR
- 收藏
- 对比
BCR185SH6327TR
1211-BCR185SH6327TR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
1最小包装量--
BCR185SH6327TR详情
Infineon Technologies BCR185SH6327TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
PG-SOT363-6-1
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
系列
Automotive, AEC-Q101
功率 - 最大
250mW
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
10kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
BCR185SH6327TR拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。