Infineon Technologies BCR35PNE6433HTMA1
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BCR35PNE6433HTMA1
1211-BCR35PNE6433HTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
1最小包装量--
BCR35PNE6433HTMA1详情
Infineon Technologies BCR35PNE6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
250mW
基本部件号
BCR35PN
功率 - 最大
250mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
频率转换
150MHz
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
BCR35PNE6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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